Описание:

Оперативная память JRL4G1333D3 изготовлена в виде небуферизированного модуля. Устройство принадлежит к поколению DDR3, имеющему ряд преимуществ перед предшественниками. За время одного такта прибор обрабатывает 8 бит данных, а также 240 контактов при низком напряжении всего в 1.5 В. Такие характеристики позволяют экономить электроэнергию до 40%. Оперативная память JRL4G1333D3 имеет объем 4 ГБ. Это позволяет работать с оптимальным количеством информации в течение одного рабочего сеанса. Тактовая частота устройства составляет 1333 МГц, что обеспечивает среднюю скорость работы. Показатели пропускной способности достигают 10600 МБ/с. Устройство актуально в использовании при работе с большими масштабами текстов, архивированием и шифрованием информации.