начало email карта Новости О фирме Прайс-листы Корзина Наш сервис Кредит Ломбард Форум

Консультанты:

631595025

Скачать Прайс-лист:


Подписаться на рассылку

Мы принимаем к оплате:

Системы пластиковых карт

Телефон доверия

IP веб-камера

Выбирай настоящее

Сейчас на сайте:

  • Гостей (395)

Томск

Центральный офис:
г.Томск, ул.Косарева 33,
тел. (3822) 56-58-56
тел. (3822) 56-56-58
тел. (3822) 56-58-38

НИКС в России
Товаров в наличии: 2026
Товаров под заказ: 72392
Обновление: 3 Мая 05:34

Еще не зарегистрированы?  / Забыли пароль?

Выбрано товаров: 0 шт. на сумму 0 р.
Товары для сравнения: 0 шт.

Каталог описаний

Искать


Сортировка: По алфавиту   Против алфавита  
Вид списка: Эскизы   Список  

Каталог описаний
  Жесткие Диски
    SSD (Solid State Drives )
      Твердотельный накопитель SSD M.2 2280 512Gb Samsung 950 PRO [MZ-V5P512BW] Samsung UBX (R2500/W1500MB/s)
662207

Вид главный
Твердотельный накопитель SSD M.2 2280 512Gb Samsung 950 PRO [MZ-V5P512BW] Samsung UBX (R2500/W1500MB/s)
Вид 1
Вид 2
Вид 3
Вид 4

Твердотельный накопитель SSD M.2 2280 512Gb Samsung 950 PRO [MZ-V5P512BW] Samsung UBX (R2500/W1500MB/s)

Описание:

Если Вы искали исключительно производительный твердотельный накопитель с бескомпромисными характеристиками, то SSD серии 950 PRO именно для Вас. SSD 950 PRO объединяет передовую V-NAND память, высокопропускную шину PCI Express Gen 3 x4, с минимальной задержкой обработки большого объема данных, и современный компактный формат M.2, ориентрированный на будущее и идеально подходящий для hi-end PC и производительных рабочих станций.

Тип SSD M.2 накопитель
Модель Samsung 950 PRO [MZ-V5P512BW]
Объем накопителя 512 Гб
Контроллер Samsung UBX
Тип памяти 3D V-NAND
Интерфейс NAND памяти V-NAND
Буферная память 512 Мб
Форм-фактор 2280
Длина 80 мм
Ширина 22 мм
Толщина 2.38 мм
Компоновка чипов памяти Односторонняя
Ключ M.2 разъема M
Интерфейс PCI-E 3.0 x4
NVMe Есть
Адаптер PCI-E - M.2 в комплекте Нет
Максимальная скорость последовательного чтения, Мбайт/с 2500 Мбайт/с
Максимальная скорость последовательной записи, Мбайт/с 1500 Мбайт/с
Чтение случайных блоков 4 Кбайт (QD32) 300000 IOPS
Запись случайных блоков 4 Кбайт (QD32) 110000 IOPS
Чтение случайных блоков 4 Кбайт (QD1) 12000 IOPS
Запись случайных блоков 4 Кбайт (QD1) 43000 IOPS
Пропускная способность интерфейса 4 Гбит/с
MTBF (Среднее время между отказами) 1.5 млн ч
Максимальная перегрузка (ударостойкость) 1500 G (0.5 мс)
Поддержка команды TRIM Есть
Энергопотребление 5.7 Вт
Особенности, дополнительно Технология Garbage Collection, технология TRIM

Увидели ошибку в описании товара? Выделите её и нажмите Ctrl+Enter!