начало email карта Новости О фирме Прайс-листы Корзина Наш сервис Кредит Ломбард Форум

Консультанты:

631595025

Скачать Прайс-лист:


Подписаться на рассылку

Мы принимаем к оплате:

Системы пластиковых карт

Телефон доверия

IP веб-камера

Выбирай настоящее

Сейчас на сайте:

  • Гостей (540)

Томск

Центральный офис:
г.Томск, ул.Косарева 33,
тел. (3822) 56-58-56
тел. (3822) 56-56-58
тел. (3822) 56-58-38

НИКС в России
Товаров в наличии: 2023
Товаров под заказ: 72392
Обновление: 29 Апреля 05:33

Еще не зарегистрированы?  / Забыли пароль?

Выбрано товаров: 0 шт. на сумму 0 р.
Товары для сравнения: 0 шт.

Каталог описаний

Искать


Сортировка: По алфавиту   Против алфавита  
Вид списка: Эскизы   Список  

Каталог описаний
  Память оперативная
    SO-DIMM
      Память SODIMM DDR3 4Gb PC12800 1600MHz JRam CL11 [JRS4G1600D3]
696128

Вид главный
Память SODIMM DDR3 4Gb PC12800 1600MHz JRam CL11 [JRS4G1600D3]
Вид 1
Вид 2

Память SODIMM DDR3 4Gb PC12800 1600MHz JRam CL11 [JRS4G1600D3]

Описание:

Оперативная память SODIMM 4 Гб предназначена для временного хранения, записи и чтения информации. Установив такую компактную планку из 16 чипов на свой ноутбук, пользователь забывает о зависании системы и ее перегревах во время активного серфинга в Интернете, работы с объемными базами данных и загрузке ресурсоемких приложений. Функционируя при напряжении 1,5 В, планка выделяет меньше тепла, потребляя меньше электричества. Материалы, из которых она производится регулярно поддаются тестам на соответствие существующим стандартам качества и усовершенствуются. Модуль типа DDR3 имеет улучшенную энергоэффективность по сравнению с предыдущим поколением, а также более производителен благодаря высшей пропускной способности при тактовой частоте 1600 МГц. Оптимальный уровень латентности CL11 отвечает за быстродействие обмена данными.

Тип Оперативная память
Модель J Ram [JRS4G1600D3]
Тип памяти DDR3
Суммарный объем памяти всего комплекта 4 Гб
Объем одного модуля памяти 4 Гб
Количество модулей в комплекте 1
Частота 1600 МГц
Пропускная способность PC12800
CAS Latency (CL) 11
RAS to CAS Delay (tRCD) 11
Row Precharge Delay (tRP) 11
Activate to Precharge Delay (tRAS) 28
Количество чипов модуля 16
Двухсторонняя установка чипов Есть
Напряжение питания 1.5 В

Увидели ошибку в описании товара? Выделите её и нажмите Ctrl+Enter!