Серия |
M471 |
Объем модуля памяти |
32 Гб |
Количество модулей в комплекте |
1 |
Количество чипов памяти |
16 чипов |
Описание |
Samsung DDR4 32GB SO-DIMM (PC4-21300) 2666MHz 1.2V (M471A4G43MB1-CTDDY) |
Напряжение питания |
1.2 В |
Размеры упаковки (измерено в НИКСе) |
7 x 3 x 0.3 см |
Вес брутто (измерено в НИКСе) |
0.01 кг |
Краткое название |
Samsung DDR4 32GB SO-DIMM (PC4-21300) 2666MHz 1.2V (M471A4G43MB1-CTDDY) |
Оперативная память:Дополнительная информация:Low Profile |
Нет |
Оперативная память:Дополнительная информация:Поддержка ECC |
Нет |
Оперативная память:Дополнительная информация:Совместимость |
Для ноутбуков |
Оперативная память:Основные характеристики:Напряжение, В |
1.2000 |
Оперативная память:Основные характеристики:Объём, Мб |
32768 |
Прочие характеристики:Габариты:Ширина, мм |
69.6 |
Базовые характеристики:Серия продукции |
M471 |
Прочие характеристики:Габариты:Высота, мм |
30 |
Базовые характеристики:Форм-фактор |
SODIMM |
Базовые характеристики:Тип памяти |
Unbuffered |
Базовые характеристики:Количество контактов |
260 |
Базовые характеристики:Количество модулей в комплекте, шт |
1 |
Базовые характеристики:Количество чипов на модуле, шт |
16 |
Базовые характеристики:Низкопрофильная |
Нет |
Базовые характеристики:Объем одного модуля, ГБ |
32 |
Базовые характеристики:Поддержка ECC |
Нет |
Базовые характеристики:Пропускная способность, Мб/с |
21300 |
Базовые характеристики:Стандарт памяти |
DDR4 |
Базовые характеристики:Суммарный объем, ГБ |
32 |
Базовые характеристики:Эффективная частота, МГц |
2666 |
Прочие характеристики:Вид поставки |
OEM |
Прочие характеристики:Напряжение питания, В |
1.2 |
Тайминги:Activate to Precharge Delay (tRAS) |
40 |
Тайминги:CAS Latency (CL) |
19 |
Тайминги:RAS to CAS Delay (tRCD) |
19 |
Тайминги:Row Precharge Delay (tRP) |
19 |
Прочие характеристики:Ссылка на описание |
https://www.samsung.com/semiconductor/dram/module/M471A4G43MB1-CTD/ |
Height, m |
0.5 |
Length, m |
0.33 |
PartNumber |
M471A4G43MB1-CTDDY |
Width, m |
0.31 |