| Прочие характеристики:Габариты:Ширина, мм |
67.6 |
| Прочие характеристики:Комплект поставки |
Инструкция |
| Прочие характеристики:Габариты:Высота, мм |
31.75 |
| Базовые характеристики:Форм-фактор |
SODIMM |
| Базовые характеристики:Тип памяти |
Unbuffered |
| Базовые характеристики:Количество контактов |
200 |
| Базовые характеристики:Количество модулей в комплекте, шт |
1 |
| Базовые характеристики:Количество чипов на модуле, шт |
16 |
| Базовые характеристики:Низкопрофильная |
Нет |
| Базовые характеристики:Объем одного модуля, ГБ |
2 |
| Базовые характеристики:Поддержка ECC |
Нет |
| Базовые характеристики:Пропускная способность, Мб/с |
6400 |
| Базовые характеристики:Стандарт памяти |
DDR2 |
| Базовые характеристики:Суммарный объем, ГБ |
2 |
| Базовые характеристики:Эффективная частота, МГц |
800 |
| Прочие характеристики:Вид поставки |
RTL |
| Прочие характеристики:Наличие радиатора |
Нет |
| Прочие характеристики:Напряжение питания, В |
1.8 |
| Тайминги:Activate to Precharge Delay (tRAS) |
18 |
| Тайминги:CAS Latency (CL) |
6 |
| Тайминги:RAS to CAS Delay (tRCD) |
6 |
| Тайминги:Row Precharge Delay (tRP) |
6 |
| Базовые характеристики:Количество ранков |
2 |
| Описание |
Тип памяти: UnbufferedФорм-фактор: SODIMMСтандарт памяти: DDR2Объем одного модуля, ГБ: 2Количество модулей в комплекте, шт: 1Суммарный объем, ГБ: 2Эффективная частота, МГц: 800Пропускная способность, Мб/с: 6400Поддержка ECC: НетНизкопрофильная: НетКоличество чипов на модуле, шт: 16Количество ранков: 2CAS Latency (CL): 6Напряжение питания, В: 1.8Нормальная операционная температура, °C: 85Наличие радиатора: НетГабариты: Ширина, мм: 67.6 Высота, мм: 31.75Вид поставки: RTLКомплект поставки: Инструкция |
| PartNumber |
CS.02G2B.F2M |
631595025
