| Объем модуля памяти |
4 Гб |
| Размеры упаковки (измерено в НИКСе) |
1.8 x 0.7 x 0.8 см |
| Вес брутто (измерено в НИКСе) |
0.0328 кг |
| гарантия |
1 год |
| МОДУЛИ ПАМЯТИ:Напряжение питания |
1.2 В |
| id |
1692834 |
| МОДУЛИ ПАМЯТИ:Артикул |
SP004GBLFU266N02 |
| EANUPC |
4713436123286 |
| Тайминги |
CAS Latency (CL): 19; |
| Напряжение (В) |
1.2 |
| МОДУЛИ ПАМЯТИ:Цвет |
- |
| название |
Silicon Power DDR4 DIMM 4GB SP004GBLFU266N02 PC4-21300, 2666MHz |
| МОДУЛИ ПАМЯТИ:Пропускная способность |
21300 МБ/С |
| pictureID |
396327 |
| МОДУЛИ ПАМЯТИ:Единица хранения |
ШТ |
| Тип памяти |
DDR4 |
| МОДУЛИ ПАМЯТИ:Part number |
SP004GBLFU266N02 |
| Width, m |
0.0180 |
| Поддержка Reg |
Нет |
| ширина(см) |
6.0000 |
| МОДУЛИ ПАМЯТИ:Текстовое описание |
Оперативная память 4GB Silicon Power SP004GBLFU266N02 DDR4, 2666 MHz, 21300 Мб/с, CL19, 1.2 В, (DIMM) |
| длина(см) |
17.0000 |
| МОДУЛИ ПАМЯТИ:Объем одного модуля |
4096 МБ |
| id сертификата |
0 |
| МОДУЛИ ПАМЯТИ:Вес устройства (г) |
30 |
| Частота (MHz) |
DDR-IV 2666 |
| Основные параметры:Емкость, Гб |
4 |
| Количество контактов |
288 |
| Volume, l |
0.00016 |
| описание |
Оперативная память SP004GBLFU266N02 от компании Silicon Power |
| МОДУЛИ ПАМЯТИ:Система охлаждения |
НЕТ |
| rusName |
[Модуль памяти] Silicon Power DDR4 DIMM 4GB SP004GBLFU266N02 PC4-21300, 2666MHz |
| МОДУЛИ ПАМЯТИ:Количество модулей в комплекте |
1 |
| gtdNumber |
10005030/250320/0086619 |
| МОДУЛИ ПАМЯТИ:RAS to CAS Delay (tRCD) |
19 |
| Вес, кг |
0 |
| Пропускная способность (МБ/с) |
21300 |
| МОДУЛИ ПАМЯТИ:Тип памяти |
DDR-4 |
| Поддержка ECC |
Нет |
| масса(кг) |
0.0800 |
| МОДУЛИ ПАМЯТИ:Объём памяти |
4096 МБ |
| manufacturerCountry |
Тайвань (Китай) |
| МОДУЛИ ПАМЯТИ:Вид номенклатуры |
МОДУЛИ ПАМЯТИ |
| МОДУЛИ ПАМЯТИ:Activate to Precharge Delay (tRAS) |
38 |
| Height, m |
0.0070 |
| Количество модулей в комплекте (шт) |
1 |
| Производитель |
Silicon Power |
| МОДУЛИ ПАМЯТИ:Страна производитель |
ТАЙВАНЬ |
| высота(см) |
1.0000 |
| МОДУЛИ ПАМЯТИ:Наименование для печати |
Оперативная память 4GB Silicon Power SP004GBLFU266N02 DDR4, 2666 MHz, 21300 Мб/с, CL19, 1.2 В, (DIMM) |
| GTIN |
04713436123286 |
| МОДУЛИ ПАМЯТИ:Row Precharge Delay (tRP) |
19 |
| Объём, м3 |
0 |
| Радиатор |
Нет |
| Тип модуля |
DIMM |
| МОДУЛИ ПАМЯТИ:Форм-фактор |
DIMM |
| Модель |
SP004GBLFU266N02 |
| МОДУЛИ ПАМЯТИ:Производитель |
SILICON POWER |
| partNumber |
SP004GBLFU266N02 |
| МОДУЛИ ПАМЯТИ:Гарантия |
ПОЖИЗНЕННАЯ ГАРАНТИЯ |
| Объем |
1 модуль 4Гб |
| МОДУЛИ ПАМЯТИ:CAS Latency (CL) |
19 |
| Length, m |
0.0080 |
| Общий объем памяти (ГБ) |
4 |
| Емкость, Гб |
4 |
| МОДУЛИ ПАМЯТИ:Тактовая частота |
2666 МГЦ |
631595025
![DDR4 Silicon Power 4GB 2666MHz CL19 1.2 V [SP004GBLFU266N02]](ipickats/962007.jpg)
