начало email карта Новости О фирме Прайс-листы Корзина Наш сервис Кредит Ломбард Форум

Скачать Прайс-лист:


Подписаться на рассылку

Мы принимаем к оплате:

Системы пластиковых карт

Телефон доверия

IP веб-камера

Выбирай настоящее

Сейчас на сайте:

  • Гостей (152)

Томск

Центральный офис:
г.Томск, ул.Косарева 33,
тел. (3822) 27-46-48
тел. (3822) 27-48-46

Товаров в наличии: 1912
Товаров под заказ: 6671
Обновление: 8 Августа 04:59

Ещё не зарегистрированы?  / Забыли пароль?

Товаров в корзине: 0 шт. на сумму 0 р.
Товары для сравнения: 0 шт.

Новости\Новости ИТ

Прорыв в полупроводниках приближает эру 6G: ученые раскрыли «эффект фиксатора» в нитриде галлия

10:55 24/05/2025

Международная группа инженеров и ученых открыла способ значительного повышения производительности полупроводников на основе нитрида галлия (GaN). Эти инновации особенно актуальны в контексте подготовки к шестому поколению мобильной связи — 6G.

Изображение сгенерировано Kandinsky

Переход от 5G к 6G предполагает кардинальное увеличение скорости передачи данных, что критически важно для таких технологий, как автономный транспорт, иммерсивная виртуальная реальность и моментальная медицинская диагностика. Всё это требует устройств, способных обрабатывать огромные объемы информации на сверхвысоких частотах.

Исследователи представили новую архитектуру радиочастотных усилителей на базе нитрида галлия. Ключом к прорыву стал так называемый «эффект фиксатора» — ранее неизвестное физическое явление, обеспечивающее стабильное управление током на высоких частотах.

Команда протестировала особый тип транзисторов — полевые транзисторы с эффектом сверхрешетки (SLCFET), в которых движение тока направляют более тысячи наноребер шириной менее 100 нанометров. Эти компоненты показали рекордную производительность в W-диапазоне (75–110 ГГц) — частотах, на которых будут работать сети 6G.

«Мы наблюдали совершенно новый физический эффект, возникающий в структуре GaN. Это открыло путь к стабильной и высокочастотной работе устройств», — отметил профессор Мартин Кубалл из Университета Бристоля, один из авторов исследования.

В дальнейшем команда локализовала точку возникновения эффекта фиксатора и разработала 3D-модель, чтобы подтвердить теоретические расчёты. В ходе долгосрочного тестирования устройство показало не только отличную производительность, но и устойчивость к нагрузкам — никаких признаков деградации со временем выявлено не было.

Одним из важных факторов стабильности оказалось тонкое диэлектрическое покрытие вокруг каждого наноребра, обеспечивающее стабильное распределение электрического поля.

Этот фундаментальный прорыв ведет к созданию энергоэффективных, многофункциональных чипов нового поколения — основ будущей вычислительной техники, квантовых систем и, конечно же, сетей 6G.

 Источник: Science Daily

Увидели ошибку в тексте новости? Выделите её и нажмите Ctrl+Enter!

Обсудить на форуме...