Kioxia презентовала революционную дорожную карту развития 332-слойной NAND-памяти на 122 ТБ

Компания Kioxia представила обновлённую дорожную карту, раскрывающую планы развития своей технологии NAND-памяти. В центре внимания — 332-слойный чип, принадлежащий к десятому поколению BiCS FLASH, который, как заявлено, обеспечит 2 ТБ ёмкости на кристалл. Хотя это значение может показаться скромным по сравнению с ожиданиями, Kioxia намекает на возможность создания накопителей существенно большей ёмкости в рамках проекта Gen X, при этом без использования технологии Penta-Level Cell (PLC).

Эта информация основана на материалах, представленных Kioxia в рамках своей долгосрочной корпоративной стратегии. Компания позиционирует 332-слойный чип, находящийся сейчас в стадии разработки, как ключевой элемент «двухосной стратегии». Она подразумевает развитие по двум направлениям: увеличение количества слоёв для повышения ёмкости и улучшение производительности за счёт архитектуры Charge-Based Architecture (CBA).

CBA обеспечивает прямое подключение CMOS-цепей к массиву памяти, что способствует повышению пропускной способности, снижению задержек и уменьшению энергопотребления. Kioxia утверждает, что такой подход позволяет увеличить плотность записи без ущерба для долговечности и надёжности, которые обычно снижаются при увеличении числа битов на ячейку памяти.

В планах Kioxia, судя по дорожной карте, пока не значится работа с технологией PLC, хотя конкуренты уже начинают её осваивать. Вместо этого компания, похоже, делает ставку на усовершенствование технологических процессов и разработку новых контроллеров для удовлетворения рыночного спроса. В настоящее время компания фокусируется на двух семействах SSD: CM9, ориентированном на высокую производительность для AI-приложений, и LC9, рассчитанном на большую ёмкость и предлагающем на данный момент накопители до 122 ТБ. Оба продукта основаны на 8-м поколении BiCS FLASH с поддержкой CBA, обеспечивающей энергоэффективные высокопроизводительные рабочие нагрузки.

Кроме того, Kioxia анонсировала разработку высокопроизводительного SSD с использованием технологии XL-Flash SLC, который, как ожидается, обеспечит более 10 миллионов операций ввода-вывода в секунду (IOPS) и поступит в продажу во второй половине 2026 года.

 Источник: techradar