начало email карта Новости О фирме Прайс-листы Корзина Наш сервис Кредит Ломбард Форум

Скачать Прайс-лист:


Подписаться на рассылку

Мы принимаем к оплате:

Системы пластиковых карт

Телефон доверия

IP веб-камера

Выбирай настоящее

Сейчас на сайте:

  • Гостей (435)

Томск

Центральный офис:
г.Томск, ул.Косарева 33,
тел. (3822) 27-46-48
тел. (3822) 27-48-46

Товаров в наличии: 1909
Товаров под заказ: 6743
Обновление: 15 Октября 04:38

Ещё не зарегистрированы?  / Забыли пароль?

Товаров в корзине: 0 шт. на сумму 0 р.
Товары для сравнения: 0 шт.

Новости\

Доход SK Hynix в первом квартале 2015 года составил 4,48 млрд долларов

02:09 27/04/2015

Компания SK Hynix опубликовала отчет за первый квартал 2015 года. За отчетный период одному из крупнейших производителей микросхем памяти удалось получить доход в размере 4,48 млрд долларов. Это на 6% меньше, чем в предшествующем квартале, что объясняется действием сезонных факторов, но на 29% больше, чем год назад. Еще заметнее за год выросла операционная прибыль — с 0,98 до 1,48 млрд долларов, то есть на 50%. Чистая прибыль компании за первые три месяца года составила 1,2 млрд долларов. Это на 61% больше показателя за тот же период прошлого года, равного 0,75 млрд долларов.

Производитель отмечает, что по сравнению с предыдущим кварталом поставки памяти DRAM для ПК в количественном выражении сократились на 5%, а средняя цена продажи — 4%. Это является следствием ослабления спроса на ПК. Негативный эффект был скомпенсирован повышением спроса в сегменте памяти для серверов, где средняя цена продажи оставалась стабильной, как и в сегменте мобильной памяти.

Поставки флэш-памяти в количественном выражении сохранились на прежнем уровне, а вот средняя цена продажи снизилась за квартал на 7%. Сохранение спроса производитель объясняет постоянным выпуском новых моделей мобильных устройств.

Чтобы сохранить конкурентоспособность, SK Hynix расширяет производство DRAM по технологии 2Ynm и готовится во втором квартале начать выпуск по технологии 2Znm. Одновременно будет увеличиваться доля памяти DDR4. Для выпуска флэш-памяти планируется в текущем квартале начать использовать технологию 1Xnm TLC, а до конца года — начать пилотный выпуск флэш-памяти 3D NAND.

Источник: SK Hynix

Увидели ошибку в тексте новости? Выделите её и нажмите Ctrl+Enter!

Обсудить на форуме...