начало email карта Новости О фирме Прайс-листы Корзина Наш сервис Кредит Ломбард Форум

Скачать Прайс-лист:


Подписаться на рассылку

Мы принимаем к оплате:

Системы пластиковых карт

Телефон доверия

IP веб-камера

Выбирай настоящее

Сейчас на сайте:

  • Гостей (236)

Томск

Центральный офис:
г.Томск, ул.Косарева 33,
тел. (3822) 27-46-48
тел. (3822) 27-48-46

Товаров в наличии: 1913
Товаров под заказ: 6705
Обновление: 2 Августа 04:54

Ещё не зарегистрированы?  / Забыли пароль?

Товаров в корзине: 0 шт. на сумму 0 р.
Товары для сравнения: 0 шт.

Каталог описаний

Искать


Сортировка: По алфавиту   Против алфавита  
Вид списка: Эскизы   Список  

Каталог описаний
  DDR3 SO DIMM
    Модуль памяти Kingston 4GB DDR3 1600 SODIMM KVR16S11S8/4WP Non-ECC, Unbuffered, CL11, 1.5V, 1Rx8, RTL (317305)
1211696

Вид главный
Модуль памяти Kingston 4GB  DDR3 1600 SODIMM KVR16S11S8/4WP Non-ECC, Unbuffered, CL11, 1.5V, 1Rx8, RTL (317305)

Модуль памяти Kingston 4GB DDR3 1600 SODIMM KVR16S11S8/4WP Non-ECC, Unbuffered, CL11, 1.5V, 1Rx8, RTL (317305)

Модуль памяти Kingston 4GB DDR3 1600 SODIMM KVR16S11S8/4WP — это модуль оперативной памяти для ноутбуков и других устройств с разъёмом SODIMM.

Основные характеристики:
 объём — 4 ГБ;
 тип — DDR3;
 частота — 1600 МГц;
 форм-фактор — SODIMM;
 пропускная способность — PC12800;
 тайминги — CL11;
 напряжение питания — 1,5 В;
 количество контактов — 204-pin;
 упаковка — RTL (пластиковый блистер).

Обратите внимание, что характеристики могут незначительно отличаться от указанных в зависимости от конкретной партии товара.

Перед покупкой рекомендуется проверить совместимость модуля с вашим устройством.
Тип Модуль памяти
Серия Value
Модель KVR16S11S8/4WP
Назначение для ноутбуков
Тип памяти Unbuffered
Форм-фактор SODIMM
Стандарт памяти DDR3
Объем одного модуля, ГБ 4
Количество модулей в комплекте, шт 1
Суммарный объем, ГБ 4
Эффективная частота, МГц 1600
Пропускная способность, Мб/с 12800
Поддержка ECC Нет
Низкопрофильная Нет
Игровая (для геймеров) Нет
Количество чипов на модуле, шт 8
Количество ранков 1
Количество контактов 204
CAS Latency (CL) 11
RAS to CAS Delay (tRCD) 11
Row Precharge Delay (tRP) 11
Activate to Precharge Delay (tRAS) 27
Напряжение питания, В 1.5
Максимальная потребляемая мощность, Вт 2.1
Нормальная операционная температура, °C 85
Расширенная операционная температура, °C 95
Наличие радиатора Нет
Подсветка Нет
Ширина, мм 69.6
Высота, мм 30
Вид поставки RTL
Комплект поставки Модуль памяти, документация

Увидели ошибку в названии или описании товара? Выделите её и нажмите Ctrl+Enter!