начало email карта Новости О фирме Прайс-листы Корзина Наш сервис Кредит Ломбард Форум

Скачать Прайс-лист:


Подписаться на рассылку

Мы принимаем к оплате:

Системы пластиковых карт

Телефон доверия

IP веб-камера

Выбирай настоящее

Сейчас на сайте:

  • Гостей (220)

Томск

Центральный офис:
г.Томск, ул.Косарева 33,
тел. (3822) 27-46-48
тел. (3822) 27-48-46

Товаров в наличии: 1912
Товаров под заказ: 6945
Обновление: 10 Июля 04:58

Ещё не зарегистрированы?  / Забыли пароль?

Товаров в корзине: 0 шт. на сумму 0 р.
Товары для сравнения: 0 шт.

Каталог описаний

Искать


Сортировка: По алфавиту   Против алфавита  
Вид списка: Эскизы   Список  

Каталог описаний
  SSD M.2
    Твердотельный накопитель SSD Samsung M.2 2280 1TB 990 EVO PLUS (MZ-V9S1T0BW)
1216752

Вид главный
Твердотельный накопитель SSD Samsung M.2 2280 1TB 990 EVO PLUS (MZ-V9S1T0BW)
Вид 1
Вид 2
Вид 3
Вид 4

Твердотельный накопитель SSD Samsung M.2 2280 1TB 990 EVO PLUS (MZ-V9S1T0BW)

Твердотельный накопитель SSD Samsung M.2 2280 1TB 990 EVO PLUS

Представляем вам твердотельный накопитель (SSD) Samsung M.2 2280 1TB 990 EVO PLUS — надёжное и производительное решение для вашего компьютера. Этот накопитель обеспечивает высокую скорость чтения и записи данных, что позволяет ускорить загрузку операционной системы и приложений, а также повысить общую производительность вашей системы.

Основные характеристики:
 Форм-фактор: M.2 2280;
 Объём: 1 ТБ;
 Модель: 990 EVO PLUS;
 Производитель: Samsung.

Этот SSD-накопитель идеально подходит для использования в компьютерах и ноутбуках, поддерживающих интерфейс M.2. Он обеспечивает быструю загрузку операционной системы, приложений и файлов, а также повышает общую производительность системы. Благодаря своей компактности и высокой скорости работы, этот накопитель станет отличным выбором для тех, кто ищет надёжное и эффективное решение для своего компьютера.
Тип Внутренний твердотельный накопитель
Серия продукции EVO Plus
Модель 990 EVO PLUS
Назначение для ноутбуков/компьютеров
Форм-фактор накопителя M.2 2280
Номинальный объем, ГБ 1000
Тип памяти 3D NAND
Максимальная скорость чтения, МБ/с 7150
Максимальная скорость записи, МБ/с 6300
Скорость произвольного чтения (блоки по 4 кБ), kIOPS 850
Скорость произвольной записи (блоки по 4 кБ), kIOPS 1350
Интерфейс PCI-E
Версия PCI-E PCIe 4.0 x4 / PCIe 5.0 x2
Поддержка NVMe Да
Версия NVMe 2.0
Среднее время наработки на отказ (MTBF), тыс. час. 1500
Суммарное число записываемых Байт (TBW), ТБ 600
Энергопотребление при работе, max, Вт 4.3
Ударостойкость 1500G/0.5мс
Температура эксплуатации 0...+70C
Высота, мм 22
Глубина, мм 2.38
Тип комплектации RTL
Комплект поставки Накопитель, документация

Увидели ошибку в названии или описании товара? Выделите её и нажмите Ctrl+Enter!