начало email карта Новости О фирме Прайс-листы Корзина Наш сервис Кредит Ломбард Форум

Скачать Прайс-лист:


Подписаться на рассылку

Мы принимаем к оплате:

Системы пластиковых карт

Телефон доверия

IP веб-камера

Выбирай настоящее

Сейчас на сайте:

  • Гостей (51)

Томск

Центральный офис:
г.Томск, ул.Косарева 33,
тел. (3822) 27-46-48
тел. (3822) 27-48-46

Товаров в наличии: 1915
Товаров под заказ: 7049
Обновление: 2 Июля 04:58

Ещё не зарегистрированы?  / Забыли пароль?

Товаров в корзине: 0 шт. на сумму 0 р.
Товары для сравнения: 0 шт.

Каталог описаний

Искать


Сортировка: По алфавиту   Против алфавита  
Вид списка: Эскизы   Список  

Каталог описаний
  DDR4 SO DIMM
    Модуль памяти Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB DDR4 3200 SO DIMM
1217472

Вид главный
Модуль памяти Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB DDR4 3200 SO DIMM
Вид 1

Модуль памяти Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB DDR4 3200 SO DIMM

Модуль памяти Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB DDR4 3200 SO DIMM

Модуль памяти Samsung — это надёжное и эффективное решение для повышения производительности вашего устройства. С объёмом 16 ГБ и частотой 3200 МГц он обеспечивает быструю и стабильную работу даже при высоких нагрузках.

Основные характеристики:
 Объём: 16 ГБ.
 Стандарт памяти: DDR4.
 Эффективная частота: 3200 МГц.
 Пропускная способность: 25600 Мб/с.
 CAS Latency (CL): 22.
 Форм-фактор: SODIMM.
 Тип памяти: Unbuffered.

Преимущества:
 Высокая производительность: эффективная частота 3200 МГц и пропускная способность 25600 Мб/с обеспечивают быструю обработку данных.
 Большой объём: 16 ГБ памяти позволяют запускать несколько приложений одновременно без потери производительности.
 Совместимость: форм-фактор SODIMM делает этот модуль памяти подходящим для широкого спектра устройств.

Модуль памяти Samsung M471A2G43AB2-CWE — это отличное решение для тех, кто хочет улучшить производительность своего устройства и обеспечить стабильную работу при высоких нагрузках.
Тип Модуль памяти
Модель M471A2G43AB2-CWE
Назначение для ноутбуков
Тип памяти Unbuffered
Форм-фактор SODIMM
Стандарт памяти DDR4
Объем одного модуля, ГБ 16
Количество модулей в комплекте, шт 1
Суммарный объем, ГБ 16
Эффективная частота, МГц 3200
Пропускная способность, Мб/с 25600
Поддержка ECC Нет
Низкопрофильная Нет
Игровая (для геймеров) Нет
Количество ранков 1
Количество контактов 260
CAS Latency (CL) 22
RAS to CAS Delay (tRCD) 22
Row Precharge Delay (tRP) 22
Напряжение питания, В 1.2
Наличие радиатора Нет
Подсветка Нет
Вид поставки RTL
Комплект поставки Модуль памяти, документация (опция)

Увидели ошибку в названии или описании товара? Выделите её и нажмите Ctrl+Enter!