начало email карта Новости О фирме Прайс-листы Корзина Наш сервис Кредит Ломбард Форум

Скачать Прайс-лист:


Подписаться на рассылку

Мы принимаем к оплате:

Системы пластиковых карт

Телефон доверия

IP веб-камера

Выбирай настоящее

Сейчас на сайте:

  • Гостей (71)

Томск

Центральный офис:
г.Томск, ул.Косарева 33,
тел. (3822) 27-46-48
тел. (3822) 27-48-46

Товаров в наличии: 1912
Товаров под заказ: 7111
Обновление: 9 Июля 05:02

Ещё не зарегистрированы?  / Забыли пароль?

Товаров в корзине: 0 шт. на сумму 0 р.
Товары для сравнения: 0 шт.

Каталог описаний

Искать


Сортировка: По алфавиту   Против алфавита  
Вид списка: Эскизы   Список  

Каталог описаний
  SSD (Solid State Drives )
    Твердотельный накопитель SSD M.2 2280 250Gb Samsung 850 EVO [MZ-N5E250BW] Samsung_MGX (R540/W500MB/s)
662204

Вид главный
Твердотельный накопитель SSD M.2 2280 250Gb Samsung 850 EVO [MZ-N5E250BW] Samsung_MGX (R540/W500MB/s)
Вид 1
Вид 2
Вид 3
Вид 4

Твердотельный накопитель SSD M.2 2280 250Gb Samsung 850 EVO [MZ-N5E250BW] Samsung_MGX (R540/W500MB/s)

Описание:

250Gb Samsung 850 EVO – твердотельный M.2 накопитель для шины PCI-e которая позволяет намного повысить скорость работы с файлами и, при этом, устройство стало более компактным, чем традиционные SATA SSD-диски. Очень тонкий и изящный форм-фактор Samsung 850 EVO позволяет сэкономить свободное пространство в корпусе вашего системного блока или ноутбука. Основанный на контроллере Samsung MGX накопитель серии 850 EVO может быть востребован для обширного круга задач и прекрасно подойдет пользователям, которым нужна самая высокая скорость и производительность компьютера.

Тип SSD M.2 накопитель
Модель Samsung 850 EVO [MZ-N5E250BW]
Объем накопителя 250 Гб
Контроллер Samsung MGX
Тип памяти 3D V-NAND
Интерфейс NAND памяти V-NAND
Буферная память 512 Мб
Форм-фактор 2280
Длина 80 мм
Ширина 22 мм
Толщина 2.38 мм
Компоновка чипов памяти Односторонняя
Ключ M.2 разъема B & M
Интерфейс SATA 3
NVMe Нет
Адаптер PCI-E - M.2 в комплекте Нет
Скорость последовательного чтения 540 Мбайт/с
Скорость последовательной записи 500 Мбайт/с
Чтение случайных блоков 4 Кбайт (QD32) 97000 IOPS
Запись случайных блоков 4 Кбайт (QD32) 89000 IOPS
Чтение случайных блоков 4 Кбайт (QD1) 10000 IOPS
Запись случайных блоков 4 Кбайт (QD1) 40000 IOPS
Пропускная способность интерфейса 6 Гбит/с
MTBF (Среднее время между отказами) 1500000
Максимальная перегрузка (ударостойкость) 1500 G (0.5 мс)
Поддержка команды TRIM Есть
Энергопотребление 2.4 Вт

Увидели ошибку в названии или описании товара? Выделите её и нажмите Ctrl+Enter!