Каталог описаний
Каталог описаний
SSD (Solid State Drives )
Твердотельный накопитель SSD M.2 2280 500Gb Samsung 850 EVO [MZ-N5E500BW] Samsung_MGX (R540/W500MB/s)
662205
Вид главный
![Твердотельный накопитель SSD M.2 2280 500Gb Samsung 850 EVO [MZ-N5E500BW] Samsung_MGX (R540/W500MB/s)](ipickats/662205.jpg)
Вид 1
 |
Вид 2
 |
Вид 3
 |
Вид 4
 |
Вид 5
 |
|
Твердотельный накопитель SSD M.2 2280 500Gb Samsung 850 EVO [MZ-N5E500BW] Samsung_MGX (R540/W500MB/s)
Описание: Твердотельный накопитель представляет собой высокопроизводительное и энергоэффективное решение для хранения данных, позволяющие повысить производительность работы домашних компьютеров и ноутбуков.
| Тип |
SSD M.2 накопитель |
| Модель |
Samsung 850 EVO [MZ-N5E500BW] |
| Объем накопителя |
500 Гб |
| Контроллер |
Samsung MGX |
| Тип памяти |
TLC 3D V-NAND |
| Интерфейс NAND памяти |
V-NAND |
| Буферная память |
512 Мб |
| Форм-фактор |
2280 |
| Длина |
80 мм |
| Ширина |
22 мм |
| Толщина |
2.38 мм |
| Компоновка чипов памяти |
Односторонняя |
| Ключ M.2 разъема |
B & M |
| Интерфейс |
SATA 3 |
| NVMe |
Нет |
| Адаптер PCI-E - M.2 в комплекте |
Нет |
| Максимальная скорость последовательного чтения, Мбайт/с |
540 Мбайт/с |
| Максимальная скорость последовательной записи, Мбайт/с |
500 Мбайт/с |
| Чтение случайных блоков 4 Кбайт (QD32) |
97000 IOPS |
| Запись случайных блоков 4 Кбайт (QD32) |
89000 IOPS |
| Чтение случайных блоков 4 Кбайт (QD1) |
10000 IOPS |
| Запись случайных блоков 4 Кбайт (QD1) |
40000 IOPS |
| Пропускная способность интерфейса |
6 Гбит/с |
| MTBF (Среднее время между отказами) |
1.5 млн ч |
| Максимальная перегрузка (ударостойкость) |
1500 G (0.5 мс) |
| Поддержка команды TRIM |
Есть |
| Энергопотребление |
3.5 Вт |
| Особенности, дополнительно |
Технология Garbage Collection, технология TRIM |
|
Увидели ошибку в названии или описании товара? Выделите её и нажмите Ctrl+Enter!
